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可控硅中頻電源的保護(hù)設(shè)置第一道有限壓限流保護(hù),第二道有過壓過流保護(hù),第三道有自動(dòng)斷路器(DW-16空氣開關(guān))作裝置的短路電流保護(hù)。裝置還分別設(shè)置有；冷卻水欠壓斷水保護(hù),快速熔斷器保護(hù),進(jìn)相空芯電抗器保護(hù),可控硅阻容吸收保護(hù)。

1三相橋式整流電路的短路保護(hù)

為了使在整流硅發(fā)生擊穿時(shí)不使進(jìn)相電壓發(fā)生短路,一般在電路里每個(gè)整流橋臂都串聯(lián)快速熔斷器,以保護(hù)每個(gè)橋臂的可控硅。為限制相間短路時(shí)的電流上升率,不致超過可控硅元件本身的允許值,在交流進(jìn)線處串有空芯電抗器。空芯電抗器的另一個(gè)作用是,使整流可控硅在換相過程中限制電流的上升率,對(duì)可控硅起到了一定的保護(hù)作用。

2 逆變端過流及過壓保護(hù)

1)逆變端產(chǎn)生過電流的原因如下；

(1)運(yùn)行中負(fù)載的波動(dòng)引起過流。感應(yīng)爐在熔煉過程中負(fù)載波動(dòng)很大,尤其是在熔煉的初期參數(shù)變化的更為激烈,往往造成過電流。

(2)運(yùn)行中橋式逆變器,兩對(duì)橋臂可控硅換流失誤,逆變失敗,所引起的短路電流。

(3)運(yùn)行中橋式逆變器可控硅觸發(fā)脈沖突然中斷,造成橋臂對(duì)角線可控硅斜通短路,所引起的短路電流。

還有其它各種原因引起的過電流,這種逆變側(cè)的過電流采用快速熔斷器保護(hù)將不是經(jīng)濟(jì)可靠的辦法。

2)逆變端產(chǎn)生過電壓的原因如下；

(1)(中頻電壓Uc=1.1Ud/cosɑ 。由于超前角ɑ過大在整流電壓Ud恒定時(shí),造成中頻電壓Uc過高。

(2)逆變觸發(fā)脈沖的時(shí)刻是有Uc和-Ic信號(hào)的交點(diǎn)決定的,如果自電壓互感器來的Uc信號(hào)突然中斷。則此交點(diǎn)將由Ic信號(hào)決定,ɑ將迅速增大,從而造成中頻電壓Uc過高。

(3)爐子感應(yīng)圈突然開路造成過電壓。

(4)可控硅在導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的尖峰過電壓。

3 對(duì)逆變端的過流及過電壓均采用脈沖封鎖方法來保護(hù)的。